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国内最大碳化硅基地正式投产 ,总投资50亿元

放大字体  缩小字体 发布日期:2020-03-09 15:30   来源:半导体行业观察  浏览次数:401
   昨(8)日消息,据报道,投资50亿元,建设用地约1000亩的中国电科(山西)电子信息科技创新产业园在山西转型综改示范区正式投产。

人民网报道称,该项目计划用5年时间,建成“一中心三基地”,即:中国电科(山西)碳化硅材料产业基地、中国电科(山西)电子装备智能制造产业基地、中国电科(山西)三代半导体技术创新中心、中国电科(山西)光伏新能源产业基地。项目达产后,预计形成产值100亿元。

山西台记者刘洋在报道中指出,这个碳化硅基地一期共有300台设备,单月产值就能突破一亿元。项目全部建成后,将成为国内最大的碳化硅材料供应基地,而这个1000亩的产业园将串联起山西转型综改示范区上下游十多个产业,带动山西半导体产业集群迅速发展,实现中国碳化硅的完全自主供应。

大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率,是第三代半导体碳化硅单晶材料最响亮的“名片”,不过,碳化硅单晶的制备一直是全球性难题,而高稳定性的长晶工艺技术是其核心。而在中国,碳化硅单晶衬底材料长期依赖进口,其高昂的售价和不稳定的供货情况大大限制了国内相关行业的发展。

山西烁科晶体有限公司总经理李斌称:碳化硅是一个非常关键的半导体的原材料,整个从山西来说,能带动一个50到100亿元的产业链,现在大家都在抢占这个时间点,我们现在就是要争分夺秒把这个时间节点抓住,一方面抓好疫情防控,一方面抓好复工复产,真正把这个产业链的制高点抓在我们自己手里,落地在山西。··

据了解,自2007年,中国电科2所开始着手布局碳化硅单晶衬底材料的研制规划,目前已经掌握了高纯碳化硅粉料制备工艺、4英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底的制备工艺,形成了从碳化硅粉料制备、晶体生长、晶片加工、外延验证等整套碳化硅材料研制线,在国内最早实现了高纯碳化硅材料、高纯半绝缘晶片量产。

 
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