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SSLCHINA&IFWS2019丨衬底、外延及生长装备(SiC·GaN)分会日程出炉

放大字体  缩小字体 发布日期:2019-11-06 09:42   来源:中国半导体照明网  浏览次数:449
衬底会员
   一、会议简介

  碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)是重要的第三代半导体材料,在大功率高频器件中具有重要的应用,其材料水平直接决定了器件的性能。其材料技术已成为全球高技术领域竞争战略制高争夺点。
  2019年11月25-27日,第十六届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2019)暨2019国际第三代半导体论坛(IFWS 2019)将在深圳会展中心举行。本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)主办。深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办。
  作为论坛的重要组成部分,本届“衬底、外延及生长装备”分会主题涵盖碳化硅和GaN生长材料、衬底、同(异)质外延薄膜、测试表征和相关的设备,将特别邀请国内外知名专家参加,对SiC和GaN从机理到工业化进程进行系统的探讨。
  其中,北京大学物理学院教授, 理学部副主任沈波,山东大学教授,晶体材料国家重点实验室副主任徐现刚, 日本电力中央研究所坂田修身,德国ORCHESTRA总裁Guido COLOMBO, 美国亚利桑那州立大学助理教授鞠光旭,美国Aymont Technology Inc总裁Larry B. Rowland,俄罗斯STR Group, Inc.资深研发工程师Andrey SMIRNOV,美国NAURA-Akrion, Inc.首席技术官Ismail I. KASHKOUSH等来自国内外高校、科研院所、企业的精英代表齐聚一堂,分享前沿研究成果。
 
  时间:2019年11月26日下午14:00-17:30
  地点:深圳会展中心·五层菊花厅
 
  分会组织机构
  主办单位:
  国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)
  第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)
  协办单位:
  中微半导体设备(上海)股份有限公司




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